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MUR115

更新时间： 2024-02-06 07:01:47

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描述
1A ULTRA FAST EFFICIENT RECTIFIER

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MUR115 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, PLASTIC, SMB, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	150 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MUR115 数据手册

Frontier Electronics Corp.

667 E. COCHRAN STREET, SIMI VALLEY, CA 93065

TEL: (805) 522-9998 FAX: (805) 522-9989

E-mail: frontiersales@frontierusa.com

Web: http://www.frontierusa.com

1A ULTRA FAST EFFICIENT RECTIFIER

MUR105 THRU MUR1100

FEATURES

z LOW POWER LOSS, HIGH EFFICIENCY

z LOW LEAKAGE

z LOW FORWARD VOLTAGE DROP

z HIGH CURRENT CAPABILITY

z HIGH SPEED SWITCHING

z HIGH RELIABILITY

z HIGH CURRENT SURGE

z GLASS PASSIVATED CHIP JUNCTION

1.0(25.4)

MIN

.034(0.9)

.028(0.7)

.205(5.2)

.166(4.2)

.107(2.7)

.080(2.0)

MECHANICAL DATA

z CASE: MOLDED PLASTIC, DO41, DIMENSIONS IN INCHES

AND (MILLIMETERS)

z EPOXY: UL 94V-0 RATE FLAME RETARDANT

z LEAD: MIL-STD-202E METHOD 208C GUARANTEED

z MOUNTING POSITION: ANY

1.0(25.4)

MIN

z WEIGHT: 0.34 GRAMS

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATINGS AT 25°C AMBIENT TEMPERATURE UNLESS OTHERWISE SPECIFIED

SINGLE PHASE, HALF WAVE, 60 HZ, RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD. FOR CAPACITIVE LOAD, DERATE CURRENT BY 20%

MUR MUR MUR MUR MUR MUR MUR MUR

RATINGS

SYMBOL

UNITS

105

110

100

115

150

105

150

120

200

140

200

140

400

280

400

160

600

480

600

180

800

560

800

1100

1000

700

MAXIMUM RECURRENT PEAK REVERSE VOLTAGE

MAXIMUM RMS VOLTAGE

V_RRM

V_RMS

V_DC

MAXIMUM DC BLOCKING VOLTAGE

100

1000

MAXIMUM AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT

0.375” (9.5mm) LEAD LENGTH AT TA=55°C

PEAK FORWARD SURGE CURRENT, 8.3ms SINGLE HALF

SINE-WAVE SUPERIMPOSED ON RATED LOAD

I_O

1.0

I_FSM

C_J

TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE (NOTE 1)

TYPICAL THERMAL RESISTANCE (NOTE 2)

STORAGE TEMPERATURE RANGE

℃/W

℃

θja

T_STG

T_OP

- 55 TO + 150

OPERATING TEMPERATURE RANGE

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (A_TT_A=25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)

MUR MUR MUR MUR MUR MUR MUR MUR

CHARACTERISTICS

SYMBOL

UNITS

105

110

115

120

140

160

180

1100

MAXIMUM FORWARD VOLTAGE AT I_ODC

V_F

I_R

0.875

1.25

1.75

MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 25℃

μA

MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 100℃

I_R

μA

MAXIMUM REVERSE RECOVERY TIME (NOTE 3)

T_RR

NOTE:

1. MEASURED AT 1 MHZ AND APPLIED REVERSE VOLTAGE 0F 4.0 VOLTS

2. BOTH LEADS ATTACHED TO HEAT SINK 20×20×1t(mm) COPPER PLATE AT LEAD LENGTH 5mm

3. REVERSE RECOVERY TEST CONDITIONS: I_F=0.5A, I_R=1.0A, I_RR=0.25A

MUR105 THRU MUR1100

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MUR115F	KEXIN	获取价格	Super Fast Recovery Diodes
MUR115G	ONSEMI	获取价格	SWITCHMODE Power Rectifiers
MUR115GP	LUNSURE	获取价格	1.0Amp glass passivated super fast recovery rectifier 50to600 volts
MUR115GP	MCC	获取价格	1.0 Amp Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts
MUR115GP-A	MCC	获取价格	暂无描述
MUR115GP-AP	MCC	获取价格	暂无描述
MUR115GP-AP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon, DO-41,
MUR115GP-BP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon, DO-41,
MUR115GP-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
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