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MUR115GP-T

更新时间： 2024-11-28 19:52:43

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
3页	107K
描述
Rectifier Diode,

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MUR115GP-T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.56	JESD-609代码：	e0
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

MUR115GP-T 数据手册

MUR105GP

THRU

MUR160GP

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

1.0 Amp Glass

Passivated Super Fast

Recovery Rectifier

50 to 600 Volts

Features

•

High Surge Capability

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

Super Fast Switching Speed For High Efficiency

Maximum Ratings

•

Operating Temperature: -65°C to +150°C

Storage Temperature: -65°C to +150°C

DO-41

Maximum

Recurrent

Maximum DC

Blocking

MCC

Maximum

Part Number Peak Reverse RMS Voltage

Voltage

MUR105GP

MUR110GP

MUR115GP

MUR120GP

MUR140GP

MUR160GP

50V

35V

70V

105V

140V

280V

420V

50V

100V

150V

200V

400V

600V

100V

150V

200V

400V

600V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Cathode

Mark

Average Forward

Current

I_F(AV)

1.0A

T_A= 55°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

25A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

MUR105GP-115GP

MUR120GP-160GP

Maximum DC

V_F

_FM= 1.0A;

.97V

1.35V T_A= 25°C

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

5.0µA T_A= 25°C

I_R

50µA

T_A= 150°C

Maximum Reverse

Recovery Time

MUR105GP-140GP

MUR160GP

Typical Junction

Capacitance

DIMENSIONS

T_rr

C_J

INCHES

MAX

45ns

60ns

I_F=0.5A, I_R=1.0A,

I_rr=0.25A

DIM

MIN

.166

.080

.028

1.000

MIN

4.10

2.00

.70

MAX

5.20

2.70

.90

NOTE

.205

.107

.034

---

25.40

---

MUR105GP-115GP

MUR120GP-160GP

15pF

10pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 1%

www.mccsemi.com

Revision: 3

2003/04/30

12 3

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