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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MUN5216DW1T3 | MOTOROLA |
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100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419B-01, 6 PIN |
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| MUN5216DW-G | WEITRON |
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Transistor |
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| MUN5216T1 | ONSEMI |
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NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
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| MUN5216T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
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| MUN5216T1 | ROCHESTER |
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100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
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| MUN5216T1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
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| MUN5216T3 | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-70, 3 PIN |
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| MUN5230 | WEITRON |
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NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
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| MUN5230 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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| MUN5230DW | WEITRON |
获取价格 |
Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon |
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