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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MUN5111DW1T1
MUN5111DW1T1 PDF预览

MUN5111DW1T1

更新时间： 2024-01-02 03:08:25
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 176K
描述
Dual Bias Resistor Transistors

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MUN5111DW1T1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：0.95Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：35JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MUN5111DW1T1 数据手册

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MUN5111DW1T1 Series  
Preferred Devices  
Dual Bias Resistor  
Transistors  
PNP Silicon Surface Mount Transistors  
with Monolithic Bias Resistor Network  
http://onsemi.com  
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with  
a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base  
resistor and a base−emitter resistor. These digital transistors are  
designed to replace a single device and its external resistor bias  
network. The BRT eliminates these individual components by  
integrating them into a single device. In the MUN5111DW1T1 series,  
two BRT devices are housed in the SOT−363 package which is ideal  
for low−power surface mount applications where board space is at a  
premium.  
(3)  
(2)  
(1)  
R
1
R
2
Q
1
Q
2
R
2
R
1
(4)  
(5)  
(6)  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
• Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape and Reel  
1
SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
(T = 25°C unless otherwise noted, common for Q and Q )  
A
1
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current  
V
−50  
−50  
CBO  
CEO  
MARKING DIAGRAM  
V
Vdc  
6
I
C
−100  
mAdc  
d
XX  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
1
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P
187 (Note 1.)  
256 (Note 2.)  
1.5 (Note 1.)  
2.0 (Note 2.)  
mW  
XX= Specific Device Code  
D
d
T = 25°C  
= Date Code  
= (See Page 2)  
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance −  
Junction-to-Ambient  
R
670 (Note 1.)  
490 (Note 2.)  
θ
JA  
DEVICE MARKING INFORMATION  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
See specific marking information in the device marking table  
on page 2 of this data sheet.  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P
250 (Note 1.)  
385 (Note 2.)  
2.0 (Note 1.)  
3.0 (Note 2.)  
mW  
D
T = 25°C  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
A
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance −  
Junction-to-Ambient  
R
493 (Note 1.)  
325 (Note 2.)  
θ
JA  
JL  
Thermal Resistance −  
Junction-to-Lead  
R
188 (Note 1.)  
208 (Note 2.)  
θ
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
2. FR−4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
December, 2003 − Rev. 5  
MUN5111DW1T1/D  
 
1234567...20

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MUN5111DW1T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MUN5111DW1T1G ONSEMI

类似代替

 Dual Bias Resistor Transistors
DTB143EKT146 ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-59,

与MUN5111DW1T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MUN5111DW1T1/D ETC

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 		Dual Bias Resistor Transistors
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 		Dual Bias Resistor Transistors
MUN5111DW1T2 MOTOROLA

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 		100mA, 50V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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