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MTP9575J3

更新时间： 2024-11-28 10:42:35

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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7页	351K
描述
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTP9575J3 数据手册

Spec. No. : C404J3

Issued Date : 2008.09.19

Revised Date :2009.02.04

Page No. : 1/7

CYStech Electronics Corp.

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

BVDSS

-60V

RDSON

-15A

90mΩ

MTP9575J3

Features

• Single Drive Requirement

• Low On-resistance

• Fast switching Characteristic

• RoHS compliant package

Symbol

Outline

TO-252

MTP9575J3

G：Gate

G D S

D：Drain

S：Source

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

VDS

VGS

IDM

-60

±25

-15

-9.5

-45 *1

0.29

W/°C

°C

Continuous Drain Current @VGS=-10V, TC=25°C

Continuous Drain Current @VGS=-10V, TC=100°C

Pulsed Drain Current

Total Power Dissipation (TC=25℃)

Linear Derating Factor

Operating Junction and Storage Temperature

Tj, Tstg

-55~+150

Note : *1 Pulse width limited by safe operating area

MTP9575J3

CYStek Product Specification

12 3 4 5 6 7

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