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MTEA0N10Q8-0-T3-G

更新时间： 2024-11-12 01:17:59

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
页数	文件大小	规格书
9页	373K
描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTEA0N10Q8-0-T3-G 数据手册

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Spec. No. : C871Q8

Issued Date : 2014.06.30

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/9

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

BVDSS

RDSON@VGS=10V, ID=4A

100V

5.6A

76mΩ(typ)

MTEA0N10Q8

RDSON@VGS=5.5V, ID=3A

90mΩ(typ)

Features

• Single Drive Requirement

• Fast Switching Characteristic

• Repetitive Avalanche Rated

• Pb-free lead plating and halogen-free package

Symbol

Outline

MTEA0N10Q8

SOP-8

Pin 1

G：Gate D：Drain S：Source

Ordering Information

Device

Package

SOP-8

(Pb-free lead plating and halogen-free package)

Shipping

MTEA0N10Q8-0-T3-G

2500 pcs / tape & reel

Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant and

green compound products

Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel

Product rank, zero for no rank products

Product name

MTEA0N10Q8

CYStek Product Specification

12 3 4 5 6 7...9

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