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MTE60N40

更新时间: 2024-01-29 23:46:49
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 389K
描述
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS

MTE60N40 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大漏极电流 (Abs) (ID):60 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大功率耗散 (Abs):500 W子类别:FET General Purpose Power

MTE60N40 数据手册

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