Datasheet > MTB6D0N03BH8-0-T6-G

MTB6D0N03BH8-0-T6-G

更新时间： 2022-02-26 13:54:22

品牌	Logo	应用领域
全宇昕 - CYSTEKEC		/
页数	文件大小	规格书
9页	470K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MTB6D0N03BH8-0-T6-G 数据手册

浏览型号MTB6D0N03BH8-0-T6-G的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号MTB6D0N03BH8-0-T6-G的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MTB6D0N03BH8-0-T6-G的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MTB6D0N03BH8-0-T6-G的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MTB6D0N03BH8-0-T6-G的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MTB6D0N03BH8-0-T6-G的Datasheet PDF文件第7页

Spec. No. : CA00H8

Issued Date : 2015.02.13

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 3/9

Characteristics (TC=25°C, unless otherwise specified)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Qg (V_GS=10V)

Qg (V_GS=4.5V)

14.8

7.3

2.9

3.1

8.8

14.6

*1, 2

VDS=15V, VGS=10V, ID=14A

Qgs

*1, 2

Qgd

*1, 2

t_{d(ON) *1, 2}

VDS=15V, ID=14A, VGS=10V,

*1, 2

t_{d(OFF) *1, 2}

RGS=3Ω

t_f

6.4

1.9

*1, 2

V^GS=15mV, VDS=0V, f=1MHz

Source-Drain Diode

I_S

I_{SM *3}

V_{SD *1}

trr

Qrr

140

1.3

0.87

10.5

4.3

IF=25A, VGS=0V

IF=14A, dIF/dt=100A/μs

Note : *1.Pulse Test : Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2%

*2.Independent of operating temperature

*3.Pulse width limited by maximum junction temperature.

Recommended Soldering Footprint

unit : mm

MTB6D0N03BH8

CYStek Product Specification

1 234 5 6 7...9

下载PDF

与MTB6D0N03BH8-0-T6-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MTB6D0N03BI3	CYSTEKEC	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET	获取价格
MTB6D0N03BI3-0-UA-G	CYSTEKEC	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET	获取价格
MTB6N60	MOTOROLA	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS	获取价格
MTB6N60E	MOTOROLA	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS	获取价格
MTB6N60E1	MOTOROLA	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS	获取价格
MTB6N60ET4	MOTOROLA	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格