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MTB6D0N03ATH8-0-T6-G

更新时间： 2022-02-26 14:11:09

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET

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MTB6D0N03ATH8-0-T6-G 数据手册

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Spec. No. : C709H8

Issued Date : 2014.04.30

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 4/9

Typical Characteristics

Brekdown Voltage vs Ambient Temperature

Typical Output Characteristics

1.4

1.2

120

10V, 7V, 6V, 5V

100

V_GS=4.5V

V_GS=4V

0.8

0.6

0.4

V_GS=3.5V

I_D=250 A,

V_GS=3V

V_GS=0V

V_GS=2.5V

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

V_DS, Drain-Source Voltage(V)

Tj, Junction Temperature(°C)

Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current

V_GS=2.5V

Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage

1000

100

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

Tj=25°C

V_GS=3V

V_GS=4.5V

Tj=150°C

V_GS=10V

0.1

100

I_D, Drain Current(A)

I_DR, Reverse Drain Current(A)

Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture

Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source

Voltage

100

2.4

V_GS=10V, I_D=25A

I_D=25A

1.6

1.2

0.8

0.4

R_DS(ON)@Tj=25°C : 6.8 mΩ typ

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

_GS, Gate-Source Voltage(V)

Tj, Junction Temperature(°C)

MTB6D0N03ATH8

CYStek Product Specification

1 2 345 6 7...9

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