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MTA9D0B03Q8

更新时间： 2022-02-26 12:37:55

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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9页	295K
描述
Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTA9D0B03Q8 数据手册

Spec. No. : C050Q8

Issued Date : 2018.09.12

Revised Date : 2018.09.17

Page No. : 5/9

CYStech Electronics Corp.

Typical Characteristics(Cont.)

Threshold Voltage vs Junction Tempearture

Capacitance vs Drain-to-Source Voltage

1.6

1.4

1.2

10000

1000

100

Ciss

ID=-1mA

0.8

0.6

0.4

0.2

Coss

ID=-250μA

Crss

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175 200

-VDS, Drain-Source Voltage(V)

ꢂꢃ, Jꢄꢅcꢆꢇꢈꢅ ꢂeꢉꢊeꢋaꢆꢄꢋeꢌꢀCꢍ

Gate Charge Characteristics

Maximum Safe Operating Area

100

RDSON

100μs

VDS=-15V

limited

1ms

VDS=-25V

10ms

100ms

0.1

0.01

TA=ꢐꢑꢀC, ꢂꢃ=ꢒꢗꢑꢀC

V^GS=-10V, RθJA=ꢘꢐꢖꢑꢀCꢙꢚ

Single Pulse

ID=-12A

12 18 24 30 36 42 48 54 60

Qg, Total Gate Charge(nC)

0.01

0.1

100

-VDS, Drain-Source Voltage(V)

Forward Transfer Admittance vs Drain Current

Maximum Drain Current vs Junction Temperature

100

VDS=-5V

Pulsed

ꢂa=ꢐꢑꢀC

0.1

TA=ꢐꢑꢀC, ꢛGS=-10V, RθJA=ꢘꢐꢖꢑꢀCꢙꢚ

0.01

100 125 150 175 200

0.001

0.01

0.1

-ID, Drain Current(A)

Tj, Jꢄꢅcꢆꢇꢈꢅ ꢂeꢉꢊeꢋaꢆꢄꢋeꢌꢀCꢍ

MTA9D0B03Q8

CYStek Product Specification

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