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MTA9D0B03Q8

更新时间： 2024-02-07 03:18:20

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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9页	295K
描述
Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTA9D0B03Q8 数据手册

Spec. No. : C050Q8

Issued Date : 2018.09.12

Revised Date : 2018.09.17

Page No. : 6/9

CYStech Electronics Corp.

Typical Characteristics(Cont.)

Single Pulse Power Rating, Junction to Ambient

(Note on page 2)

Typical Transfer Characteristics

300

250

200

150

100

VDS=-10V

TJ(MAX)=ꢒꢗꢑꢀC

T^A=ꢐꢑꢀC

RθJA=ꢘꢐꢖꢑꢀCꢙꢚ

ꢒꢐꢑꢀC

ꢐꢑꢀC

0.001

0.01

0.1

100

-VGS, Gate-Source Voltage(V)

Pulse Width(s)

Transient Thermal Response Curves

D=0.5

1.RθJA(t)=r(t)*RθJA

2.Duty Factor, D=t1/t2

3.T^JM-TA=PDM*RθJA(t)

4.RθJA=ꢘꢐꢖꢑꢀCꢙꢚ

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

Single Pulse

1.E-02

0.001

1.E-04

1.E-03

1.E-01

1.E+00

1.E+01

1.E+02

1.E+03

t1, Square Wave Pulse Duration(s)

MTA9D0B03Q8

CYStek Product Specification

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