是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIMM | 包装说明: | DIMM-168 |
针数: | 168 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH | 备用内存宽度: | 32 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 |
内存密度: | 134217728 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 168 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM168 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 2048 | 座面最大高度: | 25.654 mm |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.0012 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.96 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT8LD264G-7BN | ETC |
获取价格 |
x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module | |
MT8LD264G-7S | ETC |
获取价格 |
x64 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8LD264G-7X | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
MT8LD264G-7XS | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module | |
MT8LD864A | MICRON |
获取价格 |
DRAM MODULE | |
MT8LD864AG-5X | MICRON |
获取价格 |
DRAM MODULE | |
MT8LD864AG-6X | MICRON |
获取价格 |
DRAM MODULE | |
MT8LDT264G-6 | ETC |
获取价格 |
x64 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8LDT264G-6S | ETC |
获取价格 |
x64 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8LDT264G-6X | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |