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MT8LDT264HG-6

更新时间: 2024-01-13 03:36:05
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
30页 1042K
描述
x64 Fast Page Mode DRAM Module

MT8LDT264HG-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM-144
针数:144Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N144内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:64
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):225电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:25.654 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.0012 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.8 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MT8LDT264HG-6 数据手册

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