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MT8LD264G-5BN

更新时间： 2024-01-10 15:17:12

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其他 - ETC		内存集成电路动态存储器
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25页	1290K
描述
x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module

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MT8LD264G-5BN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM-168
针数：	168	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	52 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	备用内存宽度：	32
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.47 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.13 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MT8LD264G-6	ETC	获取价格	x64 Fast Page Mode DRAM Module
MT8LD264G-6B	ETC	获取价格	x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module
MT8LD264G-6BN	ETC	获取价格	x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module
MT8LD264G-6S	ETC	获取价格	x64 Fast Page Mode DRAM Module
MT8LD264G-6X	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
MT8LD264G-6XS	ETC	获取价格	x64 EDO Page Mode DRAM Module
MT8LD264G-7	ETC	获取价格	x64 Fast Page Mode DRAM Module
MT8LD264G-7B	ETC	获取价格	x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module
MT8LD264G-7BN	ETC	获取价格	x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module
MT8LD264G-7S	ETC	获取价格	x64 Fast Page Mode DRAM Module