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MT8D432M-52B

更新时间: 2024-01-08 19:22:10
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 754K
描述
x32 Burst EDO Page Mode DRAM Module

MT8D432M-52B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM-72针数:72
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.9
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:52 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
备用内存宽度:16I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:32
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:72
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SIMM封装等效代码:SSIM72
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
最大待机电流:0.014 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.04 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MT8D432M-52B 数据手册

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