是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | SIMM-72 | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.9 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 52 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
备用内存宽度: | 16 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 72 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | SIMM | 封装等效代码: | SSIM72 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 2048 |
最大待机电流: | 0.014 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 1.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT8D432M-60B | ETC |
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x32 Burst EDO Page Mode DRAM Module | |
MT8D48M-6 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8D48M-7 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8D48M-8 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8D48ML-6 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8D48ML-7 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8D48ML-8 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8D48N-6 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8D48N-7 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module | |
MT8D48N-8 | ETC |
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x8 Fast Page Mode DRAM Module |