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MT8D48M-6

更新时间: 2024-01-21 18:56:59
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 342K
描述
x8 Fast Page Mode DRAM Module

MT8D48M-6 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM-30针数:30
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XSMA-N30
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:30字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SIM30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):235
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:20.574 mm
最大待机电流:0.008 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.88 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:2.54 mm端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

MT8D48M-6 数据手册

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