生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | PLASTIC, TQFP-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.63 |
最长访问时间: | 10 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 9437184 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | COMMERCIAL | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT58L512L18FT-10.5 | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 | |
MT58L512L18FT-10IT | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
MT58L512L18FT-7.5 | ROCHESTER |
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512KX18 CACHE SRAM, 7.5ns, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
MT58L512L18FT-7.5IT | CYPRESS |
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Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
MT58L512L18FT-8 | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX18, 6.8ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 | |
MT58L512L18FT-8.5 | ROCHESTER |
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512KX18 CACHE SRAM, 8.5ns, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
MT58L512L18P | MICRON |
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8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM | |
MT58L512L18PB-5IT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX18, 3.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119 | |
MT58L512L18PB-6.6 | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 | |
MT58L512L18PB-7.5IT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119 |