Datasheet > MT58L128L36P1B-6

MT58L128L36P1B-6

更新时间： 2024-01-14 02:15:08

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	353K
描述
Standard SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119

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MT58L128L36P1B-6 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	3.5 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e1
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

MT58L128L36P1B-6 数据手册

4Mb : 256K x 18, 128K x 32/36

PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM

4Mb SYNCBURST^™

SRAM

MT58L256L18P1, MT58L128L32P1,

MT58L128L36P1; MT58L256V18P1,

MT58L128V32P1, MT58L128V36P1

3.3V VDD, 3.3V o r 2.5V I/O, Pip e lin e d , Sin g le -Cycle

De se le ct

FEATURES

100-Pin TQFP

• Fast clock an d OE# access tim es

• Sin gle +3.3V +0.3V/-0.165V power supply (V^DD

• Separate +3.3V or +2.5V isolated output buffer

supply (V^DDQ)

)

• SNOOZE MODE for reduced-power stan dby

• Single-cycle deselect (Pentium^®BSRAM-com patible)

• Com m on data in puts an d data outputs

• Individual BYTE WRITE control and GLOBAL WRITE

• Th ree ch ip en ables for sim ple depth expan sion

an d address pipelin in g

• Clock-con trolled an d registered addresses, data

I/Os an d con trol sign als

• In tern ally self-tim ed WRITE cycle

• Burst con trol pin (in terleaved or lin ear burst)

• Autom atic power-down for portable application s

• 165-pin FBGA package

165-Pin FBGA

(Preliminary Package Data)

• 100-pin TQFP package

• 119-pin BGA package

• Low capacitive bus loadin g

• x18, x32, an d x36 version s available

OPTIONS

MARKING

• Tim in g (Access/Cycle/MHz)

2.3n s/4n s/250 MHz

2.6n s/4.4n s/225 MHz

3.1n s/5n s/200 MHz

3.5n s/6n s/166 MHz

4.0n s/7.5n s/133 MHz

5n s/10n s/100 MHz

• Con figuration s

3.3V I/O

-4

-4.4

-5

-6

-7.5

-10

119-Pin BGA

256K x 18

128K x 32

128K x 36

MT58L256L18P1

MT58L128L32P1

MT58L128L36P1

2.5V I/O

256K x 18

128K x 32

128K x 36

MT58L256V18P1

MT58L128V32P1

MT58L128V36P1

• Packages

100-pin TQFP

165-pin FBGA

NOTE: 1. JEDEC-standard MS-026 BHA (LQFP).

119-pin , 14m m x 22m m BGA

• Operatin g Tem perature Ran ge

Com m ercial (0°C to +70°C)

In dustrial (-40°C to +85°C)**

Part Number Example:

2. JEDEC-standard MS-028 BHA(PBGA).

Non e

* A Part Markin g Guide for th e FBGA devices can be foun d on Micron ’s

Web site—h ttp://www.m icron .com /support/in dex.h tm l.

** In dustrial tem perature ran ge offered in specific speed grades an d

con figuration s. Con tact factory for m ore in form ation .

MT58L256L18P1T-6

4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM

MT58L256L18P1_D.p65 – Rev. 10/01

Micron Technology, Inc., reservesthe right to change productsor specificationswithout notice.

12 3 4 5 6 7...35

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MT58L128L36P1F-10	CYPRESS	Cache SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L36P1F-4	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX36, 2.3ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L36P1F-4.4	CYPRESS	Cache SRAM, 128KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L36P1F-5	CYPRESS	Cache SRAM, 128KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L36P1F-6	CYPRESS	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L36P1F-7.5	CYPRESS	Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格

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