是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-40 |
针数: | 40 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.76 | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | DEEP POWER DOWN; USER CONFIGURABLE 5V OR 12V VPP | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 32 | 端子数量: | 40 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP40,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT28F1284W18 | MICRON |
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1.8V Low Voltage, Extended Temperature | |
MT28F128J3 | MICRON |
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Q-FLASHTM MEMORY | |
MT28F128J3FS-11 | MICRON |
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Q-FLASHTM MEMORY | |
MT28F128J3FS-11ET | MICRON |
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Q-FLASHTM MEMORY | |
MT28F128J3FS-12 | MICRON |
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Q-FLASHTM MEMORY | |
MT28F128J3FS-12ET | MICRON |
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Q-FLASHTM MEMORY | |
MT28F128J3FS-15 | MICRON |
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Q-FLASHTM MEMORY | |
MT28F128J3FS-15ET | MICRON |
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Q-FLASHTM MEMORY | |
MT28F128J3RG-11 | MICRON |
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Q-FLASHTM MEMORY | |
MT28F128J3RG-11ET | MICRON |
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Q-FLASHTM MEMORY |