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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, FBGA-64 |
| 针数： | 64 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.81 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B64 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 128 |
| 端子数量： | 64 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TBGA | 封装等效代码： | BGA64,8X8,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 页面大小： | 4/8 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 128K | 最大待机电流： | 0.00012 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PC28F128J3C120 | INTEL |
功能相似  |
Intel StrataFlash® Memory |
|
| RC28F128J3C-120 | INTEL |
功能相似 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MT28F128J3FS-15 | MICRON |
获取价格 |
Q-FLASHTM MEMORY |
|
| MT28F128J3FS-15ET | MICRON |
获取价格 |
Q-FLASHTM MEMORY |
|
| MT28F128J3RG-11 | MICRON |
获取价格 |
Q-FLASHTM MEMORY |
|
| MT28F128J3RG-11ET | MICRON |
获取价格 |
Q-FLASHTM MEMORY |
|
| MT28F128J3RG-12 | MICRON |
获取价格 |
Q-FLASHTM MEMORY |
|
| MT28F128J3RG-12ET | MICRON |
获取价格 |
Q-FLASHTM MEMORY |
|
| MT28F128J3RG-15 | MICRON |
获取价格 |
Q-FLASHTM MEMORY |
|
| MT28F128J3RG-15ET | MICRON |
获取价格 |
Q-FLASHTM MEMORY |
|
| MT28F160A3 | MICRON |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| MT28F160C3 | MICRON |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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