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MSM51V4100L-80SJ

更新时间: 2024-01-16 13:26:32
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 222K
描述
Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

MSM51V4100L-80SJ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:SOJ, SOJ20/26,.34Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83最长访问时间:80 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J20
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:4194304 words
字数代码:4000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ20/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:NO
最大待机电流:0.00015 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.06 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MSM51V4100L-80SJ 数据手册

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