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MSM5117805D-70JS

更新时间： 2024-01-10 13:46:11
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 171K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28

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MSM5117805D-70JS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOJ, SOJ28,.44Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
端子数量：28字数：2097152 words
字数代码：2000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.08 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MSM5117805D-70JS 数据手册

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MSM5117805D  
DC Characteristics  
(VCC = 5V ± 10%, Ta = 0°C to 70°C)  
MSM5117805 MSM5117805 MSM5117805  
D-50 D-60 D-70  
Symbol  
Parameter  
Condition  
Unit Note  
Max Max Max  
Min.  
2.4  
0
Min.  
2.4  
0
Min.  
2.4  
0
V
I
= -5.0mA  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
VCC  
0.4  
VCC  
0.4  
VCC  
0.4  
V
V
OH  
OH  
V
I
OL  
= 4.2mA  
OL  
0V £ V £ 6.5V ;  
I
Input Leakage  
Current  
I
LI  
10  
10  
10  
10  
90  
10  
10  
80  
-10  
-10  
¾
-10  
-10  
¾
-10  
-10  
¾
mA  
mA  
All other pins not  
under test = 0V  
DQ disable  
Output Leakage  
Current  
I
LO  
0V £ V £ V  
O
CC  
Average Power  
Supply Current  
RAS, CAS cycling,  
= Min.  
I
I
I
100  
mA  
mA  
mA  
1,2  
1
CC1  
CC2  
CC3  
t
RC  
(Operating)  
RAS, CAS = V  
2
1
2
1
2
1
¾
¾
¾
¾
¾
¾
IH  
Power Supply  
Current  
RAS, CAS ³  
– 0.2V  
(Standby)  
V
CC  
RAS cycling,  
Average Power  
Supply Current  
CAS = V ,  
100  
5
90  
5
80  
5
1,2  
IH  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
(RAS-only Refresh)  
t
= Min.  
RC  
RAS = V ,  
IH  
Power Supply  
Current  
I
I
I
CAS = V ,  
mA  
mA  
mA  
1
CC5  
CC6  
CC7  
IL  
(Standby)  
DQ = enable  
Average Power  
Supply Current  
RAS = cycling,  
100  
100  
90  
90  
80  
80  
1,2  
1,3  
(CAS before RAS  
Refresh)  
CAS before RAS  
RAS = V ,  
IL  
Average Power  
Supply Current  
CAS cycling,  
(Fast Page Mode)  
t
= Min.  
PC  
Notes: 1. ICC Max. is specified as ICC for output open condition.  
2. The address can be changed once or less while RAS = VIL.  
3. The address can be changed once or less while CAS = VIH.  
5/14  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MSM5117805D-70TS-K OKI

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 		EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28
MSM5117805D-70TS-L OKI

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 		EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
MSM5117805F OKI

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 		2,097,152-Word × 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAG
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