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MSM5117805D-70JS

更新时间： 2024-01-09 09:13:55
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 171K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28

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MSM5117805D-70JS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOJ, SOJ28,.44Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
端子数量：28字数：2097152 words
字数代码：2000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.08 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MSM5117805D-70JS 数据手册

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MSM5117805D  
AC Characteristic (1/2)  
(VCC = 5V ± 10%, Ta = 0°C to 70°C) Note1,2,3,11,12  
MSM5117805  
D-50  
MSM5117805  
D-60  
MSM5117805  
D-70  
Parameter  
Symbol  
Unit Note  
Min.  
84  
Max.  
¾
Min.  
104  
135  
25  
Max.  
¾
Min.  
124  
160  
30  
Max.  
¾
t
Random Read or Write Cycle Time  
Read Modify Write Cycle Time  
Fast Page Mode Cycle Time  
ns  
ns  
ns  
RC  
t
110  
20  
¾
¾
¾
RWC  
t
¾
¾
¾
HPC  
Fast Page Mode Read Modify Write  
Cycle Time  
t
58  
68  
78  
ns  
¾
¾
¾
HPRWC  
t
Access Time from RAS  
50  
13  
25  
30  
13  
60  
15  
30  
35  
15  
70  
20  
35  
40  
20  
ns 4,5,6  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
RAC  
t
Access Time from CAS  
ns  
ns  
ns  
ns  
4,5  
4,6  
4
CAC  
t
AA  
Access Time from Column Address  
Access Time from CAS Precharge  
Access Time from OE  
t
CPA  
t
4
OEA  
Output Low Impedance Time from  
CAS  
t
0
5
0
0
5
0
0
5
0
ns  
ns  
ns  
4
¾
¾
13  
¾
¾
15  
¾
¾
20  
CLZ  
t
Data Output Hold After CAS Low  
DOH  
CAS to Data Output Buffer Turn-off  
Delay Time  
t
7,8  
7,8  
7
CEZ  
RAS to Data Output Buffer Turn-off  
Delay Time  
t
0
0
0
13  
13  
13  
0
0
0
15  
15  
15  
0
0
0
20  
20  
20  
ns  
ns  
ns  
REZ  
OE to Data Output Buffer Turn-off  
Delay Time  
t
OEZ  
WE to Data Output Buffer Turn-off  
Delay Time  
t
7
3
WEZ  
t
T
Transition Time  
1
¾
30  
50  
50  
7
50  
32  
1
50  
32  
1
50  
32  
¾
ns  
ms  
ns  
t
Refresh Period  
¾
40  
60  
60  
10  
10  
¾
50  
70  
70  
13  
13  
REF  
t
RAS Precharge Time  
RAS Pulse Width  
¾
¾
RP  
t
10,000  
100,000  
¾
10,000  
100,000  
¾
10,000 ns  
100,000 ns  
RAS  
t
RAS Pulse Width (Fast Page Mode)  
RAS Hold Time  
RASP  
t
ns  
ns  
¾
¾
RSH  
t
RAS Hold Time referenced to OE  
7
¾
¾
ROH  
CAS Precharge Time  
(Fast Page Mode)  
t
7
10  
10  
ns  
¾
¾
¾
CP  
t
CAS Pulse Width  
7
35  
5
10,000  
¾
10  
40  
5
10,000  
¾
13  
45  
5
10,000 ns  
CAS  
t
CAS Hold Time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
¾
¾
¾
¾
50  
35  
CSH  
t
CAS to RAS Precharge Time  
RAS Hold Time from CAS Precharge  
OE Hold Time from CAS (DQ Disable)  
RAS to CAS Delay Time  
¾
¾
CRP  
t
30  
5
35  
5
40  
5
¾
¾
RHCP  
t
¾
¾
CHO  
t
11  
9
37  
14  
12  
45  
14  
12  
5
6
RCD  
t
25  
30  
RAS to Column Address Delay Time  
RAD  
6/14  
1...3456789...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MSM5117805D-70TS-K OKI

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 		EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28
MSM5117805D-70TS-L OKI

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 		EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28
MSM5117805F OKI

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