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MSD6100G

更新时间： 2024-11-24 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 68K
描述
Switching Diode, dual, common cathode 100V

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MSD6100G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：LEAD FREE, CASE 29-11, TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.58配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.82 VJEDEC-95代码：TO-226AA
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：135 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.625 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40

MSD6100G 数据手册

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by MSD6100/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Anode 1  
2 Anode  
1
2
3
CASE 29–04, STYLE 3  
TO–92 (TO–226AA)  
3 Cathode  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
V
R
Recurrent Peak Forward Current  
I
200  
mAdc  
mAdc  
F
Peak Forward Surge Current  
(Pulse Width = 10 µsec)  
I
500  
FM(surge)  
(1)  
Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
(1)  
T , T  
J stg  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
–55 to +135  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Breakdown Voltage  
V
(BR)  
100  
—
Vdc  
(I  
(BR)  
= 100 µAdc)  
Reverse Current  
(V = 100 Vdc)  
I
R
µAdc  
—
—
—
5.0  
0.1  
50  
R
(V = 50 Vdc)  
R
(V = 50 Vdc, T = 125°C)  
R
A
Forward Voltage  
V
F
Vdc  
(I = 1.0 mAdc)  
0.55  
0.67  
0.75  
0.7  
0.82  
1.1  
F
(I = 10 mAdc)  
F
(I = 100 mAdc)  
F
Capacitance  
(V = 0)  
R
C
—
1.5  
pF  
ns  
Reverse Recovery Time  
t
rr  
—
4.0  
(I = I = 10 mAdc, V = 5.0 Vdc, i = 1.0 mAdc)  
rr  
F
R
R
1. Continuous package improvements have enhanced these guaranteed Maximum Ratings as follows: P = 1.0 W @ T = 25°C,  
D
C
Derate above 25°C  
8.0 mW/°C, T = –65 to +150°C, θJC = 125°C/W.  
J
Motorola, Inc. 1997  
1234

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MSD6100G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Switching Diode, dual, common cathode 100V, TO-92 (TO-226) 5.33mm Body Height, 2000-REEL
MSD6100RLRB MOTOROLA

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 		Rectifier Diode, 2 Element, Silicon, TO-92, PLASTIC, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
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 		2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92, PLASTIC, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
MSD6100RLRF MOTOROLA

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 		2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92, PLASTIC, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
MSD6100RLRM MOTOROLA

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 		Rectifier Diode, 2 Element, Silicon, TO-92, PLASTIC, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
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 		2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92, PLASTIC, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN

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