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MSD6150RLRE PDF预览

MSD6150RLRE

更新时间： 2024-11-19 20:05:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 119K
描述
0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN

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MSD6150RLRE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.82配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：135 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.625 W认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.1 µs表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MSD6150RLRE 数据手册

 浏览型号MSD6150RLRE的Datasheet PDF文件第2页 
ON Semiconductort  
MSD6150  
Dual Diode  
Common Anode  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
V
R
1
2
3
Peak Forward Recurrent Current  
I
200  
500  
mAdc  
mAdc  
F
Peak Forward Surge Current  
I
FM(surge)  
CASE 29–11, STYLE 4  
TO–92 (TO–226AA)  
(Pulse Width = 10 µsec)  
(1)  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
(1)  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +135  
°C  
J
stg  
3 Anode  
Cathode 1  
2 Cathode  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc)  
V
(BR)  
70  
—
—
Vdc  
(BR)  
Reverse Current  
(V = 50 Vdc)  
R
I
—
—
—
—
—
0.80  
5.0  
—
0.1  
1.0  
8.0  
100  
µAdc  
Vdc  
pF  
R
Forward Voltage  
(I = 10 mAdc)  
F
V
F
Capacitance  
(V = 0)  
R
C
Reverse Recovery Time  
t
ns  
rr  
(I = I = 10 mAdc, V = 5.0 Vdc, i = 1.0 mAdc)  
F
R
R
rr  
1. Continuous package improvements have enhanced these guaranteed Maximum Ratings as follows: P = 1.0 W @ T = 25°C,  
D
C
Derate above 8.0 mW/°C, P = 10 W @ T = 25°C, Derate above 80 mW/°C, T , T = –55 to +150°C, θJC = 12.5°C/W, θJA = 125°C.  
D
C
J
stg  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
954  
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 1  
MSD6150/D  
12

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与MSD6150RLRE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MSD6150RLRF MOTOROLA

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, Silicon, TO-92, PLASTIC, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
MSD6150RLRM ONSEMI

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 		0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
MSD6150RLRP MOTOROLA

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 		Rectifier Diode, 2 Element, Silicon, TO-92, PLASTIC, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
MSD6150ZL1 ONSEMI

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 		DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN, Signal
MSD61A1 CONNOR-WINFIELD

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 		HCMOS SM CLOCK WITH TRI-STATE
MSD61A1/44.736MHZ CONNOR-WINFIELD

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 		HCMOS Output Clock Oscillator, 44.736MHz Nom, HERMETIC SEALED, CERAMIC, 6 PIN
MSD61A1-44.736M CONNOR-WINFIELD

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 		HCMOS SM CLOCK WITH TRI-STATE
MSD61A4 CONNOR-WINFIELD

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 		3.3V SURFACE MOUNT J LEADED HCMOS CLOCK OSCILLATOR
MSD61A4-51.84M CONNOR-WINFIELD

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 		3.3V SURFACE MOUNT J LEADED HCMOS CLOCK OSCILLATOR
MSD621 CONNOR-WINFIELD

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 		LEADLESS SURFACE MOUNT HCMOS CLOCK OSCILLATOR

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