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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MSD1328-RT1
MSD1328-RT1 PDF预览

MSD1328-RT1

更新时间： 2024-11-07 22:29:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
NPN Low Voltage Output Amplifier Surface Mount

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MSD1328-RT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-59包装说明：CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.21
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

MSD1328-RT1 数据手册

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by MSD1328–RT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
3
2
1
2
1
BASE  
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
CASE 318D–03, STYLE 1  
SC–59  
Rating  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
V
25  
20  
(BR)CBO  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Vdc  
(BR)CEO  
V
12  
Vdc  
(BR)EBO  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak  
I
500  
1000  
mAdc  
mAdc  
C
I
C(P)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
mW  
°C  
Power Dissipation  
P
D
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
J
150  
T
stg  
–55 ~ +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
20  
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
µAdc  
—
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 µAdc, I = 0)  
V
V
25  
12  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 µAdc, I = 0)  
E
E
Collector–Base Cutoff Current  
(V = 25 Vdc, I = 0)  
I
—
0.1  
350  
CBO  
CB  
DC Current Gain  
(V = 2.0 Vdc, I = 500 mAdc)  
E
(1)  
h
FE  
200  
CE  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 500 mAdc, I = 20 mAdc)  
V
—
—
0.4  
1.2  
Vdc  
Vdc  
C
B
CE(sat)  
V
BE(sat)  
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 500 mAdc, I = 50 mAdc)  
C
B
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, D.C. ≤ 2%.  
DEVICE MARKING  
Marking Symbol  
1DRX  
The “X” represents a smaller alpha digit Date Code. The Date Code indicates the actual month  
in which the part was manufactured.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		NPN Low Voltage Output Amplifiers
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MSD1328-RT3 MOTOROLA

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 		500mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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