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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 1200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 947 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 947 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0026 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XUFM-X11 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 11 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3750 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1800 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON CARBIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MSCSM120AM02CT6LIAG-Module | MICROCHIP |
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SiC Power MOSFETLow RDS(on)High temperature performanceKelvin source for easy driveLow str |
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| MSCSM120AM02T6LIAG-Module | MICROCHIP |
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? SiC Power MOSFET - Low RDS(on) - High temperature performance? Kelvin source for easy dr |
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| MSCSM120AM03CT6LIAG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| MSCSM120AM03CT6LIAG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
SiC Power MOSFETLow RDS(on)High temperature performanceKelvin source for easy driveLow str |
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| MSCSM120AM03T6LIAG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
? SiC Power MOSFET - Low RDS(on) - High temperature performance? Kelvin source for easy dr |
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| MSCSM120AM042CD3AG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| MSCSM120AM042CD3AG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
SiC Power MOSFETLow RDS(on)High temperature performanceKelvin source for easy driveLow str |
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| MSCSM120AM042CT6AG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 495A I(D), 1200V, 0.0052ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon |
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| MSCSM120AM042CT6AG-Module | MICROCHIP |
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SiC Power MOSFETLow RDS(on)High temperature performanceKelvin source for easy driveLow str |
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| MSCSM120AM042CT6LIAG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
SiC Power MOSFETLow RDS(on)High temperature performanceKelvin source for easy driveLow str |
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