MSC3003

更新时间： 2024-02-19 05:01:10

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MSC3003 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最高频带：	S BAND
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
端子面层：	TIN LEAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3000 MHz
Base Number Matches：	1

MSC3003 数据手册

MSC3003

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .250 2L FLG

The ASI MSC3003 is a common base

transistor capable of providing 3.0 W

Class-C RF output power @ 3.0 GHz.

ØD

.060 x 45°

CHAMFER

FEATURES:

• P_G= 6.0 dB min. at 3 W / 3,000 MHz

• Difused Ballast Resistor

• Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.028 / 0.71

.740 / 18.80

.245 / 6.22

.128 / 3.25

.032 / 0.81

MAXIMUM RATINGS

.255 / 6.48

.132 / 3.35

60 mA

30 V

I_C

V_CC

P_DISS

T_J

.125 / 3.18

.117 / 2.97

.110 / 2.79

.117 / 2.97

.560 / 14.22

.790 / 20.07

.225 / 5.72

.165 / 4.19

.003 / 0.08

.058 / 1.47

.119 / 3.02

.149 / 3.78

.570 / 14.48

.810 / 20.57

.235 / 5.97

.185 / 4.70

.007 / 0.18

.068 / 1.73

.135 / 3.43

.187 / 4.75

10 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

17 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

_C= 5.0 mA

BV_CER

R_BE= 10 Ω

I_E= 10 mA

V_CB= 28 V

V_CE= 5.0 V

3.5

BV_EBO

I_CBO

0.5

---

I_C= 200 mA

300

h_FE

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

5.0

C_OB

6.0

P_G

η_C

V_CC= 28 V

P_OUT= 3.0 W

f = 3.0 GHz P_IN= 0.75

30:1

---

VSWR

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/3

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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