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MSC3130T1

更新时间： 2024-02-02 07:35:13

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安森美 - ONSEMI		晶体射频放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	108K
描述
NPN RF Amplifier Transistor Surface Mount

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MSC3130T1 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SC-59, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1400 MHz

MSC3130T1 数据手册

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by MSC3130T1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Motorola Preferred Device

COLLECTOR

BASE

EMITTER

CASE 318D–03, STYLE 1

SC–59

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)

Rating

Collector–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

CBO

CEO

EBO

Collector–Emitter Voltage

Emitter–Base Voltage

Vdc

3.0

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

stg

–55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

Collector Cutoff Current

—

1.0

µAdc

Vdc

—

CBO

= 10 Vdc, I = 0)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = 2.0 mAdc, I = 0)

3.0

—

CEO

Emitter–Base Breakdown Voltage

EBO

(I = 10 µAdc, I = 0)

(1)

DC Current Gain

400

0.5

2.5

= 4.0 Vdc, I = 5.0 mAdc)

Collector–Emitter Saturation Voltage

(I = 20 mAdc, I = 4.0 mAdc)

—

Vdc

GHz

CE(sat)

Current–Gain — Bandwidth Product

(V = 4.0 Vdc, I = –5.0 mAdc)

1.4

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, D.C. ≤ 2%.

DEVICE MARKING

Marking Symbol

1S^X

The “X” represents a smaller alpha digit Date Code. The Date Code indicates the actual month

in which the part was manufactured.

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

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