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MSC3130T1

更新时间： 2024-02-04 09:52:00

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乐山 - LRC		晶体射频放大器晶体管
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1页	41K
描述
NPN RF Amplifier Transistor Surface Mount

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MSC3130T1 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SC-59, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1400 MHz

MSC3130T1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

NPN RF Amplifier Transistor

Surface Mount

MSC3130T1

COLLECTOR

CASE 318D–03, STYLE 1

BASE

EMITTER

SC–59

MAXIMUM RATINGS (T _A= 25 °C)

Rating

Symbol

V _CBO

Value

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

3.0

V _CEO

Vdc

EBO

Collector Current - Continuous

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

I_C

mAdc

Symbol

P_D

Max

200

150

Unit

°C

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T _J

T _stg

–55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25 °C)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

Collector Cutoff Current

I_CBO

—

1.0

µAdc

(V _CB= 10 Vdc, I _E= 0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I _C= 2.0 mAdc, I _B= 0)

V _CEO

3.0

—

Vdc

—

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc, I _C= 0)

DC Current Gain ⁽¹⁾

EBO

h _FE

V _CE(sat)

tf _T

400

0.5

2.5

(V _CE= 4.0 Vdc, I _C= 5.0 mAdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I _C= 20 mAdc, I_B= 4.0 mAdc)

Current-Gain–Bandwidth Produc

(V _CB= 4.0 Vdc, I _E= -5.0 mAdc)

—

Vdc

GHz

1.4

1. Pulse Test: Pulse Width

< 300 µs, D.C.<2%.

DEVICE MARKING

Marking Symbol

1S ^X

The “X” represents a smaller alpha digit Date Code. The Date Code

indicates the actual month in which the part was manufactured.

N5–1/1

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