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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MSC2295-CT1G
MSC2295-CT1G PDF预览

MSC2295-CT1G

更新时间： 2024-02-03 14:35:53
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体射频放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount

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MSC2295-CT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-59包装说明：SC-59, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.18最大集电极电流 (IC)：0.03 A
基于收集器的最大容量：1.5 pF集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：110
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

MSC2295-CT1G 数据手册

 浏览型号MSC2295-CT1G的Datasheet PDF文件第2页 
MSC2295−BT1,  
MSC2295−CT1  
Preferred Device  
NPN RF Amplifier  
Transistors Surface Mount  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
V
V
20  
Vdc  
2
1
5.0  
30  
Vdc  
BASE  
EMITTER  
Collector Current − Continuous  
I
mAdc  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
3
Characteristic  
Power Dissipation  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
mW  
°C  
SC−59  
CASE 318D  
2
P
D
1
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
150  
J
T
stg  
−55 to +150  
°C  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
MARKING DIAGRAM  
Vx M G  
G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector−Base Cutoff Current  
I
mAdc  
CBO  
Vx = Device Code  
x= B or C  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
−
0.1  
CB  
E
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
DC Current Gain (Note 1)  
(V = 10 Vdc, I = −1.0 mAdc)  
h
−
FE  
CB  
C
(Note: Microdot may be in either location)  
MSC2295−BT1  
MSC2295−CT1  
70  
110  
140  
220  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Collector−Gain — Bandwidth Product  
(V = 10 Vdc, I = −1.0 mAdc)  
f
MHz  
pF  
T
150  
−
−
CB  
E
ORDERING INFORMATION  
Reverse Transistor Capacitance  
(V = 10 Vdc,  
C
re  
†
Device  
Package  
Shipping  
1.5  
CE  
I
= 1.0 mAdc, f = 10.7 MHz)  
C
MSC2295−BT1  
MSC2295−BT1G  
SC−59  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.  
SC−59  
(Pb−Free)  
MSC2295−CT1  
SC−59  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
MSC2295−CT1G  
SC−59  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 4  
MSC2295−BT1/D  
 
12

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