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MSC2312B-80YS9

更新时间: 2024-01-09 17:04:58
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 174K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30

MSC2312B-80YS9 技术参数

生命周期:Active包装说明:SIMM, SIM30
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:80 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PSMA-N30内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:9
端子数量:30字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SIMM封装等效代码:SIM30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:20.447 mm
最大待机电流:0.009 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.63 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:2.54 mm端子位置:SINGLE

MSC2312B-80YS9 数据手册

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