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MS1202

更新时间： 2024-11-09 05:50:15

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管射频微波
页数	文件大小	规格书
3页	60K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS FM MOBILE APPLICATIONS

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MS1202 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	其他特性：	HIGH RELIABILITY, WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1202 数据手册

MS1202

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

FM MOBILE APPLICATIONS

Features

•

175 MHz

12.5 VOLTS

P_OUT= 7.0 W

G_P= 8.4 dB MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1202 is a epitaxial silicon NPN transistor designed for 12.5 volt

class C applications in the 118 – 136 MHz frequency band and 28 volt FM

ground station applications. Gold metalization and emitter ballast

resistors provide long term product ruggedness and reliability.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

Unit

Collector - Base Voltage

V_CEO

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Device Dissipation

V_EBO

P_DISS

4.0

°C

Junction Temperature

Device Current

200

1.0

T_STG

Storage Temperature

-65 to +200

11.7

ºC

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

°C/W

Rev A January 2009

Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

Visit our web site at www.microsemi.com or contact our factory direct.

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