MS1204

更新时间： 2024-11-18 03:48:23

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ADPOW		晶体射频和微波射频双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	102K
描述
RF AND MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

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MS1204 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-PRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	9 A	基于收集器的最大容量：	150 pF
集电极-发射极最大电压：	35 V	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-PRPM-F4	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS1204 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS1204

RF AND MICROWAVE TRANSISTORS

HF SSB APPLICATIONS

Features

CLASS C TRANSISTOR

FREQUENCY 136MHz

VOLTAGE 28V

POWER OUT 80W

POWER GAIN 9.0dB

COMMON EMITTER

DESCRIPTION:

The SD1019 is a 28 volt epitaxial silicon NPN planar transistor

designed primarily for VHF communications. This device utilizes

nichrome aluminum metallization to achieve infinite VSWR at rated

operating conditions.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

Value

Unit

P_DISS

T_J

T_STG

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

117

+ 200

- 65 to + 150

°C

Thermal Data

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

1.7

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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