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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 2250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MRFQ17R2 | MOTOROLA | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| MRFQ17T1 | MOTOROLA | Transistor |
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| MRFQ19 | MOTOROLA | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MRFQ19T1 | MOTOROLA | Transistor |
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| MRFX035H | NXP | Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V |
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| MRFX1K80GN | NXP | Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V |
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