MRF140

更新时间： 2024-02-10 15:28:32

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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描述
N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET

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MRF140 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	16 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF140 数据手册

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain–Source Breakdown Voltage (V

= 0, I = 100 mA)

(BR)DSS

—

Vdc

mAdc

µAdc

Zero Gate Voltage Drain Current (V

= 28 Vdc, V

= 0)

5.0

1.0

= 20 Vdc, V

DSS

GSS

Gate–Body Leakage Current (V

= 0)

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage (V

= 10 V, I = 100 mA)

1.0

0.1

4.0

3.0

0.9

7.0

5.0

1.5

—

Vdc

GS(th)

DS(on)

Drain–Source On–Voltage (V

= 10 V, I = 10 Adc)

Forward Transconductance (V

= 10 V, I = 5.0 A)

mhos

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance (V

= 28 V, V

= 0, f = 1.0 MHz)

—

450

400

—

iss

Output Capacitance (V

= 28 V, V

= 0, f = 1.0 MHz)

oss

Reverse Transfer Capacitance (V

= 28 V, V

= 0, f = 1.0 MHz)

rss

FUNCTIONAL TESTS (SSB)

Common Source Amplifier Power Gain

(30 MHz)

= 250 mA) (150 MHz)

—

6.0

—

= 28 V, P

= 150 W (PEP), I

out

Drain Efficiency

(V = 28 V, P

—

= 150 W (PEP), f = 30; 30.001 MHz,

out

(Max) = 6.5 A)

Intermodulation Distortion (1)

(V = 28 V, P = 150 W (PEP), f1 = 30 MHz,

IMD

(d11)

—

–30

–60

—

out

(d3)

f2 = 30.001 MHz, I

= 250 mA)

Load Mismatch

= 28 V, P

= 150 W (PEP), f = 30; 30.001 MHz,

No Degradation in Output Power

out

= 250 mA, VSWR 30:1 at all Phase Angles)

NOTE:

1. To MIL–STD–1311 Version A, Test Method 2204B, Two Tone, Reference Each Tone.

28 V

–

BIAS

–

0–12 V

–

C10

C11

OUTPUT

DUT

RF INPUT

C12

C2, C5, C6, C7, C8, C9 — 0.1 µF Ceramic Chip or

Monolythic with Short Leads

L1 — VK200/4B Ferrite Choke or Equivalent, 3.0 µH

L2 — Ferrite Bead(s), 2.0 µH

C3 — Arco 469

R1, R2 — 51 Ω/1.0 W Carbon

C4 — 820 pF Unencapsulated Mica or Dipped Mica

with Short Leads

R3 — 1.0 Ω/1.0 W Carbon or Parallel Two 2 Ω, 1/2 W Resistors

R4 — 1 kΩ/1/2 W Carbon

C10 — 10 µF/100 V Electrolytic

C11 — 1 µF, 50 V, Tantalum

T1 — 16:1 Broadband Transformer

T2 — 1:25 Broadband Transformer

C12 — 330 pF, Dipped Mica (Short leads)

Figure 1. 30 MHz Test Circuit (Class AB)

MRF140

MOTOROLA RF DEVICE DATA

123 4 5 6

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MRF140 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF174	MACOM	功能相似	The RF MOSFET Line 125W, 200MHz
MRF140	MACOM	功能相似	The RF MOSFET Line 30W, to 400MHz, 28V

与MRF140相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRF141	ASI	RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR	获取价格
MRF141	MOTOROLA	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET	获取价格
MRF141	TE	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET	获取价格
MRF141	MACOM	RF Power MOSFET 150W, to 175MHz, 28V	获取价格
MRF141G	ASI	RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR	获取价格
MRF141G	MOTOROLA	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET	获取价格

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