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MPSA77

更新时间： 2024-11-07 04:39:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
PNP Darlington Transistor

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MPSA77 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.59
最大集电极电流 (IC)：1.2 A配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：10000JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

MPSA77 数据手册

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MPSA77  
PNP Darlington Transistor  
•
This device is designed for applications requiring extremely high  
current gain at currents to 800mA.  
•
Sourced from process 61.  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
Absolute Maximum Ratings * T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CES  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-60  
V
CBO  
EBO  
-10  
V
I
- Continuous  
-1.2  
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ +150  
°C  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
= -100µA, I = 0  
-60  
V
(BR)CES  
CBO  
C
B
I
I
V
V
= -30V, I = 0  
-100  
-100  
nA  
nA  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
= -10V, I = 0  
C
EBO  
EB  
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
I
I
= -10mA, V = -5.0V  
10,000  
10,000  
FE  
C
C
CE  
= -100mA, V = -5.0V  
CE  
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= -100mA, I = -0.1mA  
-1.5  
-2.0  
V
V
CE  
C
C
B
= -100mA, V = -5.0mA  
BE  
CE  
Small Signal Characteristics *  
Current Gain Dandwidth Product  
f
I
= -10mA, V = -5.0V  
100  
MHz  
T
C
CE  
f = 100MHz  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
83.3  
200  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2003  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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