MPSA75

更新时间： 2024-09-22 22:51:11

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管达林顿晶体管
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4页	101K
描述
Darlington Transistors(PNP Silicon)

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MPSA75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	10000	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

MPSA75 数据手册

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by MPSA75/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

PNP Silicon

COLLECTOR 3

BASE

EMITTER 1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

MPSA75 MPSA77

–40 –60

Unit

Vdc

Adc

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

CES

–10

EBO

Collector Current — Continuous

–500

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = –100 µAdc, V = 0)

MPSA75

MPSA77

–40

–60

—

Vdc

(BR)CES

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

MPSA75

MPSA77

–40

–60

—

(BR)CBO

Collector Cutoff Current

nAdc

CBO

(V = –30 V, I = 0)

MPSA75

MPSA77

—

–100

= –50 V, I = 0)

Collector Cutoff Current

nAdc

CES

EBO

= –30 V, V

= –50 V, V

= 0)

MPSA75

MPSA77

—

–500

Emitter Cutoff Current (V

= –10 Vdc)

—

–100

nAdc

—

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(I = –10 mA, V

(I = –100 mA, V

= –5.0 V)

10,000

—

= –5.0 V)

Collector–Emitter Saturation Voltage (I = –100 mA, I = –0.1 mAdc)

CE(sat)

—

–1.5

–2.0

Vdc

Base–Emitter On Voltage (I = –100 mA, V

= –5.0 Vdc)

SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS

Current–Gain — High Frequency (I = –10 mA, V

= –5.0 V, f = 100 MHz)

1.25

2.4

—

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_c.a₁₉ll₉–₆Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MPSA75RLRPG	ONSEMI	完全替代	Darlington Transistors PNP Silicon
MPSA75RLRA	ONSEMI	完全替代	Darlington Transistors PNP Silicon
MPSA75RLRAG	ONSEMI	类似代替	Darlington Transistors PNP Silicon

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPSA75_06	ONSEMI	获取价格	Darlington Transistors PNP Silicon
MPSA75-18FLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18F, 3 PIN
MPSA75-18RLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18R, 3 PIN
MPSA75-5T1	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-5T1, 3 PIN
MPSA75-AMMO	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
MPSA75APM	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
MPSA75APMLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
MPSA75PBFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述
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