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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPSA56-AP
MPSA56-AP PDF预览

MPSA56-AP

更新时间： 2024-11-18 10:48:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器小信号双极晶体管PC
页数 文件大小 规格书
2页 113K
描述
PNP Silicon Amplifier Transistor

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MPSA56-AP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：0.67Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：757447
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT PNP
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：MCC TO-92
Samacsys Released Date：2019-05-05 23:23:15Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MPSA56-AP 数据手册

 浏览型号MPSA56-AP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
MPSA55  
MPSA56  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
x
•
Capable of 1.5Watts of Power Dissipation.  
Collector-current 500mA  
PNP Silicon  
Amplifier Transistor  
Collector-base Voltage 80V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Marking:MPSA55,MPSA56  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
•
TO-92  
Maximum Ratings  
A
E
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
80  
80  
4.0  
500  
625  
5.0  
1.5  
12  
Unit  
V
V
V
mA  
B
C
Collector Current Continuous  
PD  
Total Device Dissipation @T =25OC  
mW  
A
Derate above 25OC  
mW/ OC  
PD  
Total Device Dissipation @T =25OC  
W
A
Derate above 25OC  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
mW/ OC  
TJ  
TSTG  
-55 to +150  
-55 to +150  
OC  
OC  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage(1)  
(I =1.0mAdc, IB=0)  
MPSA55  
MPSA56  
60  
80  
4.0  
Vdc  
Vdc  
C
D
V(BR)EBO  
ICES  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I =100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
E
0.1  
uAdc  
(VCE=60Vdc, I =0)  
Collector Cutoff Current  
B
C
B
E
I
CBO  
(VCB=60Vdc, I =0)  
MPSA55  
MPSA56  
0.1  
0.1  
uAdc  
E
(VCB=80Vdc, I =0)  
E
G
ON CHARACTERISTICS (1)  
hFE(1)  
DC Current Gain  
(I =10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
DC Current Gain  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
100  
100  
C
hFE(2)  
DIMENSIONS  
VCE(sat)  
VBE(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MM  
MIN  
(I =100mAdc, IB=10mAdc)  
0.25  
1.2  
Vdc  
Vdc  
C
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current-Gain – Bandwidth Product(3)  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc,  
C
E
G
f=100MHz)  
MPSA55  
MPSA56  
50  
MHz  
1. Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2.0%  
fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.  
2.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 6  
2008/02/01  
12

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MPSA56-AP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPSA56-BP MCC

完全替代

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