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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.625 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MPS6516-AMMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
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| MPS6516C | ALLEGRO |
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Transistor, |
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| MPS6517 | SAMSUNG |
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PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
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| MPS6517 | ALLEGRO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP, |
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| MPS6517 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 3-Pin TO-92 Box |
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| MPS6517 | CENTRAL |
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40V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/ |
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| MPS6517-18F | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18F, |
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| MPS6517APM | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| MPS6517APPLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
| MPS6517C | ALLEGRO |
获取价格 |
Transistor, |
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