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MPS2907AZL1

更新时间： 2024-11-13 19:50:35
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
6页 243K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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MPS2907AZL1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.63
其他特性：EUROPEAN PART NUMBER最大集电极电流 (IC)：0.6 A
基于收集器的最大容量：8 pF集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：1.5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：100 ns
最大开启时间（吨）：45 nsVCEsat-Max：1.6 V
Base Number Matches：1

MPS2907AZL1 数据手册

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by MPS2907/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
*Motorola Preferred Device  
2
BASE  
1
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
Rating  
Symbol  
MPS2907  
MPS2907A  
–60  
Unit  
Vdc  
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–40  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
–60  
Vdc  
–5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–600  
mAdc  
Total Device Dissipation  
P
D
D
@ T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation  
P
@ T = 25°C  
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–500 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
MPS2907  
MPS2907A  
V
V
–40  
–60  
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
–60  
–5.0  
—
—
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –30 Vdc, V  
I
–50  
nAdc  
µAdc  
CEX  
= –0.5 Vdc)  
CE EB(off)  
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
= –50 Vdc, I = 0)  
MPS2907  
MPS2907A  
MPS2907  
MPS2907A  
—
—
—
—
–0.02  
–0.01  
–20  
E
(V  
CB  
= –50 Vdc, I = 0, T = 150°C)  
E
A
–10  
Base Current  
(V = –30 Vdc, V  
I
B
—
–50  
nAdc  
= –0.5 Vdc)  
300 s, Duty Cycle  
CE EB(off)  
1. Pulse Test: Pulse Width  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS2907AZL1G ONSEMI

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 		600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
MPS2907-BP MCC

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 		Transistor
MPS2907-H MCC

获取价格

 		PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
MPS2907-H-A MCC

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 		Transistor
MPS2907-H-AP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
MPS2907-H-AP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
MPS2907-H-B MCC

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 		Transistor
MPS2907-H-BP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
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 		Small Signal Bipolar Transistor,
MPS2907K DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S

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