Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPS2907-L-BP-HF

MPS2907-L-BP-HF

更新时间： 2024-11-04 13:11:47

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	236K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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MPS2907-L-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MPS2907-L-BP-HF 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MPS2907-L/H

MPS2907A-L/H

Micro Commercial Components

Features

•

Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.

PNP Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

Collector-current -0.6A

Collector-base Voltage -60V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to

+150^OC

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

•

Marking: MPS2907/MPS2907A

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

TO-92

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

(I_C=-10mAdc, I_B=0)

MPS2907

MPS2907A

-40

-60

---

Vdc

Adc

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-10uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-10uAdc, I_C=0)

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

-5.0

---

Collector Cutoff Current

I_CBO

I_CEO

I_EBO

(V_CB=-50Vdc, I_E=0)

MPS2907

MPS2907A

---

-0.1

-0.01

uAdc

Vdc

Collector Cutoff Current

(V_CE=-35Vdc, I_E=0)

MPS2907

MPS2907A

---

-0.1

-0.05

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-3.0Vdc, I_C=0)

MPS2907

MPS2907A

---

-0.1

-0.01

uAdc

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(I_C=-150mAdc, V_CE=-10Vdc)

DC Current Gain

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-10Vdc) MPS2907

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

100

300

---

h_FE-1

h_FE-2

V_CE(sat)

V_(BE)sat

---

-0.6

Vdc

---

-1.2

Vdc

DIMENSIONS

Transition Frequency

(V_CE=-20Vdc, I_C=-50mAdc, f=100MHz)

f_T

---

MHz

200

INCHES

DIM

MIN

.175

.500

.016

.135

.095

MAX

.185

---

.020

.145

.105

MIN

4.45

12.70

0.41

3.43

2.42

MAX

4.70

---

0.63

3.68

2.67

NOTE

CLASSIFICATION OF H^FE

Rank

100-200

200-300

Range

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPS2907M1TA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S
MPS2907Q	DIODES	获取价格	600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-3
MPS2907RL	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPS2907RL1	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPS2907RLRB	MOTOROLA	获取价格	600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907RLRE	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPS2907RLRF	MOTOROLA	获取价格	600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907RLRM	MOTOROLA	获取价格	600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907RLRP	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPS2907STOA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S

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