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MPS2907A

更新时间： 2024-11-12 22:46:03
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 248K
描述
General Purpose Transistors

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MPS2907A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.61Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A基于收集器的最大容量：8 pF
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-226AA
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：1.5 W
最大功率耗散 (Abs)：0.36 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：100 ns最大开启时间（吨）：45 ns
VCEsat-Max：1.6 VBase Number Matches：1

MPS2907A 数据手册

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by MPS2907/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
*Motorola Preferred Device  
2
BASE  
1
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
Rating  
Symbol  
MPS2907  
MPS2907A  
–60  
Unit  
Vdc  
3
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–40  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
–60  
Vdc  
–5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–600  
mAdc  
Total Device Dissipation  
P
D
D
@ T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Total Device Dissipation  
P
@ T = 25°C  
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–500 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
MPS2907  
MPS2907A  
V
V
–40  
–60  
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
–60  
–5.0  
—
—
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –30 Vdc, V  
I
–50  
nAdc  
µAdc  
CEX  
= –0.5 Vdc)  
CE EB(off)  
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
= –50 Vdc, I = 0)  
MPS2907  
MPS2907A  
MPS2907  
MPS2907A  
—
—
—
—
–0.02  
–0.01  
–20  
E
(V  
CB  
= –50 Vdc, I = 0, T = 150°C)  
E
A
–10  
Base Current  
(V = –30 Vdc, V  
I
B
—
–50  
nAdc  
= –0.5 Vdc)  
300 s, Duty Cycle  
CE EB(off)  
1. Pulse Test: Pulse Width  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS2907A/E7 VISHAY

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A
MPS2907A_10 ONSEMI

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 		General Purpose Transistors
MPS2907A-AP MCC

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 		暂无描述
MPS2907AG ONSEMI

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 		General Purpose Transistors
MPS2907A-G WEITRON

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 		Transistor
MPS2907AH MCC

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 		600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3
MPS2907A-H MCC

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 		PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
MPS2907A-H-A MCC

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