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MPS2907AL

更新时间： 2024-11-13 20:40:19

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	818K
描述
Transistor

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MPS2907AL 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

MPS2907AL 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92

MPS2907A

TRANSISTOR (PNP)

1. EMITTER

2. BASE

FEATURES

Complementary NPN Type available (MPS2222A)

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol Para

meter

Value

-60

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-60

-5

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-0.6

P_C

0.625

150

℃

T_J

T_stg

Storage Temperature

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

-60

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=-10μA,I_E=0

I_C=-10mA,I_B=0

I_E=-10μA,I_C=0

V_CB=-50V,I_E=0

-10

n A

Collector cut-off current

I_CEX

V_CE=-30V,V_EB(off)=-0.5V

V_EB=-3V,I_C=0

-50

-10

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE(1)

V_CE=-10V,I_C=-0.1mA

V_CE=-10V,I_C=-150mA

V_CE=-10V,I_C=-500mA

I_C=-150mA,I_B=-15mA

I_C=-500mA,I_B=-50mA

I_C=-150mA,I_B=-15mA

I_C=-500mA,I_B=-50mA

V_CE=-20V,I_C=-50mA,f=100MHz

100

DC current gain

h_FE(2)

300

h_FE(3)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

-0.4

-0.67

-1

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

-1.2

200

MHz

Delay time

Rise time

Storage time

Fall time

t_d

t_r

_CC=-30V,Ic=-150mA,I_B1=-15mA

V_CC=-6V,Ic=-150mA,

I_B1=I_B2=-15mA

225

t_S

t_f

CLASSIFICATION OF h_FE(2)

Rank

Range

100-200

200-300

A,Sep,2011

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