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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MPQ2906PBFREE
MPQ2906PBFREE PDF预览

MPQ2906PBFREE

更新时间： 2024-02-10 14:06:25
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 412K
描述
Power Bipolar Transistor,

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MPQ2906PBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：DIP-14Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.89最大集电极电流 (IC)：0.6 A
基于收集器的最大容量：8 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-116JESD-30 代码：R-PDIP-T14
JESD-609代码：e0元件数量：4
端子数量：14最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：2 W最大功率耗散 (Abs)：2 W
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
VCEsat-Max：1.6 V

MPQ2906PBFREE 数据手册

 浏览型号MPQ2906PBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
MPQ2906  
MPQ2907  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
PNP SILICON QUAD TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPQ2906,  
MPQ2907 types are comprised of four independent  
PNP silicon transistors mounted in a 14-pin DIP,  
designed for small signal, general purpose amplifier  
and switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-116 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
60  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
Emitter-Base Voltage  
5.0  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation (per transistor)  
Power Dissipation (total package)  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
600  
mA  
mW  
W
C
P
650  
D
D
P
2.0  
T , T  
-65 to +150  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=30V  
50  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
I
V
=3.0V  
50  
nA  
V
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
60  
40  
CBO  
C
I =10mA  
V
CEO  
C
I =10μA  
5.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
0.4  
1.6  
1.3  
2.6  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
C
B
I =300mA, I =30mA  
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
V
C
B
I =300mA, I =30mA  
V
C
B
f
V
=20V, I =50mA, f=100MHz  
200  
MHz  
pF  
pF  
ns  
ns  
T
CE  
CB  
BE  
CC  
CC  
C
C
V
V
V
V
=10V, I =0, f=1.0MHz  
8.0  
30  
ob  
ib  
E
C
=2.0V, I =0, f=1.0MHz  
C
t
t
=30V, I =150mA, I =15mA  
B1  
30  
on  
off  
C
=6.0V, I =150mA, I =I =15mA  
150  
C
B1 B2  
MPQ2906  
MPQ2907  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
h
h
h
V
V
V
=10V, I =10mA  
35  
40  
30  
-
-
-
75  
100  
50  
-
-
-
FE  
FE  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
=10V, I =150mA  
C
=10V, I =300mA  
C
R1 (30-January 2012)  
12

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