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MPQ2907A PDF预览

MPQ2907A

更新时间： 2024-01-28 21:03:40
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 153K
描述
0.6A, 60V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116, PLASTIC, DIP-14

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MPQ2907A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：IN-LINE, R-PDIP-T14针数：14
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.15
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-116
JESD-30 代码：R-PDIP-T14元件数量：4
端子数量：14封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

MPQ2907A 数据手册

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by MPQ2906/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
14 13 12  
11 10  
9
6
8
7
PNP Silicon  
PNP  
1
2
3
4
5
*Motorola Preferred Device  
MAXIMUM RATINGS  
MPQ2906  
MPQ2907 MPQ2907A  
Rating  
Symbol  
Unit  
Vdc  
14  
1
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–40  
–60  
–60  
–5.0  
–600  
Vdc  
CASE 646–06, STYLE 1  
TO–116  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Each  
Total  
Transistor  
Device  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
0.65  
6.5  
1.9  
19  
Watts  
mW/°C  
A
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +125  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
66  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CEO  
MPQ2906, MPQ2907  
MPQ2907A  
–40  
–60  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
V
–60  
–5.0  
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
—
E
C
Collector Cutoff Current  
I
–50  
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –30 Vdc, I = 0)  
MPQ2906, MPQ2907  
MPQ2907A  
E
= –50 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc, I = 0)  
I
—
–50  
nAdc  
EBO  
MPQ2906,7 Only  
EB  
E
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 3  
Motorola, Inc. 1997
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPQ2907A_12 CENTRAL

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 		nullPNP SILICON QUAD TRANSISTOR
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 		Power Bipolar Transistor,
MPQ2908A MPS

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 		4V - 60V Input, Current Mode, Synchronous, Step-Down Controller AEC-Q100 Qualified
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 		4V - 60V Input, Current Mode, Synchronous, Step-Down Controller AEC-Q100 Qualified
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