MPF4393

更新时间： 2024-01-17 16:43:29

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安森美 - ONSEMI		晶体开关晶体管
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6页	123K
描述
JFETs Switching

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MPF4393 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏源导通电阻：	100 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	3.5 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MPF4393 数据手册

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by MPF4392/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

1 DRAIN

N–Channel — Depletion

GATE

Motorola Preferred Devices

2 SOURCE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage

Gate–Source Voltage

Forward Gate Current

Symbol

Value

Unit

Vdc

CASE 29–04, STYLE 5

TO–92 (TO–226AA)

mAdc

G(f)

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

350

2.8

mW/°C

Operating and Storage Channel

Temperature Range

–65 to +150

°C

channel

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Gate–Source Breakdown Voltage

—

Vdc

(BR)GSS

(I = 1.0 µAdc, V

= 0)

Gate Reverse Current

GSS

= 15 Vdc, V

= 0)

—

1.0

0.2

nAdc

µAdc

= 0, T = 100°C)

Drain–Cutoff Current

D(off)

= 15 Vdc, V

= 12 Vdc)

= 12 Vdc, T = 100°C)

—

1.0

0.1

nAdc

µAdc

Gate Source Voltage

(V = 15 Vdc, I = 10 nAdc)

Vdc

MPF4392

MPF4393

–2.0

–0.5

—

–5.0

–3.0

ON CHARACTERISTICS

(1)

Zero–Gate–Voltage Drain Current

mAdc

Vdc

Ω

DSS

= 15 Vdc, V

= 0)

MPF4392

MPF4393

5.0

—

Drain–Source On–Voltage

DS(on)

(I = 6.0 mAdc, V

(I = 3.0 mAdc, V

= 0)

MPF4392

MPF4393

—

0.4

Static Drain–Source On Resistance

(I = 1.0 mAdc, V = 0)

DS(on)

MPF4392

MPF4393

—

100

SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS

Forward Transfer Admittance

mmhos

= 15 Vdc, I = 25 mAdc, f = 1.0 kHz)

MPF4392

MPF4393

—

= 15 Vdc, I = 5.0 mAdc, f = 1.0 kHz)

1. Pulse Test: Pulse Width

300 µs, Duty Cycle

3.0%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 1

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1997

12 3 4 5 6

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MPF4393 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MPF4393RLRP	ONSEMI	完全替代	JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion
MPF4393RLRPG	ONSEMI	类似代替	JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion

与MPF4393相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPF4393-5	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
MPF4393G	ONSEMI	获取价格	JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion
MPF4393RLRA	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO
MPF4393RLRB	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO
MPF4393RLRF	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
MPF4393RLRM	MOTOROLA	获取价格	30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
MPF4393RLRP	ONSEMI	获取价格	JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion
MPF4393RLRPG	ONSEMI	获取价格	JFET Switching Transistors N−Channel − Depletion
MPF4393ZL1	MOTOROLA	获取价格	30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
MPF4856	ONSEMI	获取价格	40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN

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