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MPF4856

更新时间： 2024-02-01 22:13:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 167K
描述
40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN

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MPF4856 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.36配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏源导通电阻：25 Ω
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：8 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MPF4856 数据手册

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ON Semiconductort  
JFET Switching  
N–Channel – Depletion  
MAXIMUM RATINGS  
MPF4856  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Drain–Gate Voltage  
Symbol  
MPF4856  
+40  
Unit  
Vdc  
V
DS  
DG  
V
+40  
Vdc  
Reverse Gate–Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
–40  
Vdc  
GSR  
I
50  
mAdc  
GF  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
360  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
1
2
3
Storage Temperature Range  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
CASE 29–11, STYLE 5  
TO–92 (TO–226AA)  
1 DRAIN  
3
GATE  
2 SOURCE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)GSS  
(I = 1.0 µAdc, V = 0)  
–40  
–
G
DS  
Gate Reverse Current  
(V = –20 Vdc, V = 0)  
I
GSS  
–
–
0.25  
0.5  
nAdc  
µAdc  
GS  
DS  
(V = –20 Vdc, V = 0, T = 150°C)  
GS  
DS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
Drain–Cutoff Current (V = 15 Vdc, V = –10 Vdc)  
V
–4.0  
–10  
Vdc  
GS(off)  
I
D(off)  
–
–
0.25  
0.5  
nAdc  
µAdc  
DS  
GS  
(V = 15 Vdc, V = –10 Vdc, T = 150°C)  
DS  
GS  
A
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
Drain–Source On–Voltage  
(1)  
I
50  
–
–
mAdc  
Vdc  
DSS  
V
DS(on)  
(I = 20 mAdc, V = 0)  
0.75  
D
GS  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Drain–Source “ON” Resistance  
Input Capacitance  
r
–
–
–
25  
18  
Ω
ds(on)  
C
pF  
iss  
(V = 0, V = –10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
DS  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
(V = 0, V = –10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
C
pF  
rss  
8.0  
DS  
GS  
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
781  
Publication Order Number:  
June, 2001 – Rev.0  
MPF4856/D  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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