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MOD2025

更新时间： 2024-12-01 20:43:39

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	40K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.35ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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MOD2025 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-P12
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CDFM-P12
元件数量：	6	端子数量：	12
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MOD2025 数据手册

MODXX-XX

tSENSITRON

SEMICONDUCTOR

STANDARD HERMETIC MOSFET MODULES

FEATURES:

High Power Density

Low Saturation Voltage (V_CE(SAT)

Low Thermal Resistance (R_qJC

)

INDUSTRIAL IGBT PRODUCT MAP

I_D(Amps)

CONFIGURATION

Half-Bridge

V_DSS(V)

100

MOD2007

MOD2014

200

300

MOD2018

600

MOD2022

MOD2001

MOD2004

MOD2011

MOD2015

MOD2019

MOD2023

MOD2002

MOD2005

MOD2009

MOD2012

Buck & Boost

100

200

300

600

100

MOD2008

MOD2016

H-Bridge

200

300

600

MOD2020

MOD2024

MOD2003

MOD2006

MOD2013

100

200

300

600

MOD2010

MOD2021

3-Phase Bridge

MOD2017

MOD2025

· 221 West Industry Court · Deer Park, NY 11729-4681 · Phone (631) 586-7600 · Fax (631) 242-9798 ·

· World Wide Web Site - http://www.sensitron. com · E-Mail Address - sales@sensitron.com ·

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