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MOD500B

更新时间: 2024-12-01 19:00:27
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威世 - VISHAY 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 205K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.43ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

MOD500B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-MDFM-P12
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (ID):13 A
最大漏源导通电阻:0.43 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):200 pFJESD-30 代码:R-MDFM-P12
元件数量:4端子数量:12
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:400 W最大脉冲漏极电流 (IDM):52 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):220 ns
最大开启时间(吨):85 nsBase Number Matches:1

MOD500B 数据手册

  

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